IT之家 12 月 25 日音讯，在本年 12 月初旧金山举办的 IEEE 世界电子器材会议（IEDM）上，IBM 研究人员展现了首款专为液氮冷却优化的先进 CMOS 晶体管。
据IT之家了解，液氮沸点极低，只要 -196°C，是现在干流电子器材没办法接受的超低温。但是，在如此酷寒的环境下，晶体管的电阻和漏电电流都会大幅度下降，然后提高功能和下降功耗。
IBM 研制的纳米片晶体管将硅通道切割成薄薄的纳米片层，并用栅极彻底围住，完成了更有用的电场操控。这种结构不光能将 500 亿个晶体管塞进指甲盖巨细的区域，并且在液氮冷却下，功能更是惊人地翻了一番。
低温环境带来了两大优势：更低的电荷载子散射和更低的功耗。散射削减意味着电阻下降，电子在器材中的移动愈加顺利；而功耗的下降，则能够让器材在相同电压下驱动更大的电流。此外，液氮冷却还提高了晶体管的开 / 关灵敏度，只需更小的电压改变即可切换状况，逐渐下降功耗。
但是，低温也带来了新的应战：阈值电压升高。阈值电压是指将晶体管导通所需的电压，它会跟着温度下降而升高，使得器材开关愈加困难。传统工艺难以下降阈值电压，因而 IBM 研究人员采用了一种全新的双金属栅极和双偶极子技能。他们经过在 n 型和 p 型晶体管的接口处增加不同的金属杂质，构成偶极子，以此来下降电子跨过导带边所需的能量，使晶体管更高效。
